70T3339S133BFGI
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | 70T3339S133BFGI |
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Hersteller / Marke: | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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21+ | $306.3948 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 2.4V ~ 2.6V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 208-CABGA (15x15) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 208-LFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 9Mbit |
Speicherorganisation | 512K x 18 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Uhrfrequenz | 133 MHz |
Grundproduktnummer | 70T3339 |
Zugriffszeit | 4.2 ns |
70T3339S133BFGI Einzelheiten PDF [English] | 70T3339S133BFGI PDF - EN.pdf |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
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IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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